内存时序怎么看

内存时序怎么看问题一：内存时序怎么看一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：
一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置
首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
mand Per Clock(CPC)
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T) 。
mand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM mand Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T) 。
CAS Latency Control(tCL)
可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5 。
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS” 。这个3就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间” 。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，......>>

问题二：内存时序里面的时钟是什么意思数值怎么看越大越好还是越小越好？我的这内存如何？ 10分里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns 。
所以这个值是越小越好。
你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存
1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)，
所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能

问题三：内存时序怎么调节？应该是前4项为11-11-11-30
你现在使用的时序已经优于默认时序。
可以到bios中进行向下憨调。如果蓝屏死机，则向上调整直到稳定。

问题四：CPUZ怎么看内存时序你能用cpu-z看你机子正在用这两根内存条，说明它们是兼容的。而且它们运行在同一频率上，他们的CAS和RAS是一样，你可以看Memory选项，那是两根内存运行时的频率及CAS、RAS等等。你上面描述的应该是两根内存条的SPD信息

问题五：内存时序怎么看9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到
用cpu-z 点spd选项卡就可以查看！

问题六：内存条的时序怎么看到网上下个叫：CPU-Z的工具（网上大把的），里面有个内存这一栏，在那可以看的到

问题七：电脑内存大小频率时序参数怎么看可以使用cpuz或者aida64等工具查看内存参数

问题八：会看内存条时序的进来帮我看看，小白不会看你的内存是1866的频率的，你现在运行在1600的频率下，可以进BIOS手动调节到1866

问题九：为什么CPUZ里看的内存时序和我用的不一样前者可以工作在三种不同的外频下,后者只能在一种外频下.

问题十：内存时序怎么看用CPU－Z可以看到。
在BIOS里，你让内存by spd或auto，也就是自动设置，也可以看到。
什么是内存时序？内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式。
分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
用更通俗的说法，CMDRate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。
不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。
内存条怎么看时序如果是脱离电脑的单根内存条，只能看内存条标签上是否印了时序，或者根据完整型号查时序。

文章插图
如果是安装在电脑上的内存条，看时序就简单多了，直接在软件“CPU-Z”里的“SPD”选项卡里看即可，如下图，这根内存条工作在xmp 3000mhz频率时时序是15-16-16-36
为啥高玩选内存不看频率看时序？一文读懂内存时序内存时序，一言以蔽之指的是内存在处理各种任务操作时遇到的固有延迟的一种数值描述，或者更本质更白话一点，时序指的是内存处理工作和操作时的具体延迟时间，从这个定义上而言，时序自然是越小越好；
同时，影响内存延迟，或者说描述延迟的时序种类有很多，我们常规产品上列出的4种，是对内存影响最大，最为显著的部分。
【内存时序怎么看】内存时序
它们分别都有着特定的代号，按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，这四个代号全是缩写，第一个CL，即CAS Latency，它描述的是内存列地址访问的延迟时间，这也是时序中最重要的参数；第二个tRCD，即RAS to CAS Delay，是指内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个tRP，即RAS Precharge Time，表示内存行地址选通脉冲预充电时间；第四个tRAS，即RAS Active Time，描述的是行地址激活的时间。
理解了主要的时序含义之后，我们还需要明白内存和CPU之间的联结原理，才能真正明白主要时序对于内存性能的影响。
通常情况下，CPU的工作流程是下达一个寻址指令，内存会快速搜索和寻址存在缓存内的文件，我们将寻址的过程想象成在一个有列有行的围棋格上。
当CPU下达搜索A文件时，内存需要要先确定数据具体在围棋格子中的哪一行，那么时序的第二个参数tRCD就代表这个时间，简单来说就是是内存收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。值得注意的是，由于每一行中数据量十分庞杂，在内存第一步工作中无法准确定位，只能是预估，因而还需要第二步才能完成指令。
当内存确定了A文件在哪一行之后，就需要确认数据在哪一列，只有当行和列全部都确定后，才能锁定A文件的具体地址；而确定列的等待时间，便是时序中CL，换言之就是内存确定行数之后，还需要多久才能访问具体的列。
至于第三个参数，指的是确认了第一行数值后，再确定另外一行所需要等待的时间（时间周期）。
第四个tRAS部分，则是指整个内存完成命令后的总和，它的数值约等于前三个数值的总和，当然时序越高的情况下，他们的差异越巨大。
下面我们就通过DDR4和DDR5两种不同内存的时序，探究D4和D5内存的差异。
“40-40-40-77”是某品牌5200MHz的D5产品时序设计，“16-16-16-36”则是该品牌4000MHz的D4产品时序设计。
从时序上来看，二者近乎存在2倍多的数值差异，虽然在绝对频率上D5内存有着显著提升，可在延迟上严重拉跨，无疑对于用户的实际使用产生一定影响。
这也就是为什么众多D5内存，暂时并没有被大量玩家接受的原因。
频率的增长并不能显著提升用户体验，而过高的延迟却如同定时炸弹，不经意间对用户体验产生影响，想要更高频率，同时降低时序，可能是今后内存行业一直需要探索的重要课题。
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